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控硅中頻電源的保護設置有多重保護系統(tǒng),第一道有限壓限流保護,第二道有過壓過流保護,第三道有自動斷路器(DW-16空氣開關)作裝置的短路電流保護。裝置還分別設置有；冷卻水欠壓斷水保護,快速熔斷器保護,進相空芯電抗器保護,可控硅阻容吸收保護。

1三相橋式整流電路的短路保護

為了使在整流硅發(fā)生擊穿時不使進相電壓發(fā)生短路,一般在電路里每個整流橋臂都串聯(lián)快速熔斷器,以保護每個橋臂的可控硅。為限制相間短路時的電流上升率,不致超過可控硅元件本身的允許值,在交流進線處串有空芯電抗器。空芯電抗器的另一個作用是,使整流可控硅在換相過程中限制電流的上升率,對可控硅起到了一定的保護作用。

2 逆變端過流及過壓保護

1)逆變端產生過電流的原因如下；

(1)運行中負載的波動引起過流。感應爐在熔煉過程中負載波動很大,尤其是在熔煉的初期參數(shù)變化的更為激烈,往往造成過電流。

(2)運行中橋式逆變器,兩對橋臂可控硅換流失誤,逆變失敗,所引起的短路電流。

(3)運行中橋式逆變器可控硅觸發(fā)脈沖突然中斷,造成橋臂對角線可控硅斜通短路,所引起的短路電流。

還有其它各種原因引起的過電流,這種逆變側的過電流采用快速熔斷器保護將不是經濟可靠的辦法。

2)逆變端產生過電壓的原因如下；

(1)(中頻電壓Uc=1.1Ud/cosɑ 。由于超前角ɑ過大在整流電壓Ud恒定時,造成中頻電壓Uc過高。

(2)逆變觸發(fā)脈沖的時刻是有Uc和-Ic信號的交點決定的,如果自電壓互感器來的Uc信號突然中斷。則此交點將由Ic信號決定,ɑ將迅速增大,從而造成中頻電壓Uc過高。

(3)爐子感應圈突然開路造成過電壓。

(4)可控硅在導通與關斷時產生的尖峰過電壓。

3 對逆變端的過流及過電壓均采用脈沖封鎖方法來保護的。